11月
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SK海力士正研发高带宽存储（HBS）
据报道，据业内人士透露，SK海力士正在研发高带宽存储（HBS）技术，该技术最多可堆叠16个DRAM和NAND闪存模块，并通过垂直导线扇出（VFO）连接，从而提高数据处理速度，有望让未来的智能手机和平板电脑具备更强大的AI算力。（财联社）原文链接
据报道，据业内人士透露，SK海力士正在研发高带宽存储（HBS）技术，该技术最多可堆叠16个DRAM和NAND闪存模块，并通过垂直导线扇出（VFO）连接，从而提高数据处理速度，有望让未来的智能手机和平板电脑具备更强大的AI算力。（财联社）原文链接
