近日,规划总投资 120 亿元的晶镁半导体高端光罩项目正式落户高新区。该项目主要从事 28nm 及以上半导体光罩的研发、生产和销售等,一期投资 65 亿元,满产后月产能约 3200 片。项目建成后,能有效缓解国内高端光罩长期依赖进口的局面,降低“卡脖子”风险,更将为提升产业链国产化水平、强化自主可控能力提供坚实保障。(it之家)原文链接
7 月 26 日消息,随着集成电路工艺向 7nm 及以下节点不断推进,13.5 nm 波长的 EUV 光刻成为实现先进芯片制造的核心技术。但 EUV 光源反射损耗大、亮度低等特点,对光刻胶在吸收效率、反应机制和缺陷控制等方面提出了更高挑战。清华大学宣布,该校化学系许华平教授团队在极紫外(EUV)光刻材料上取得重要进展 —— 开发出一种基于聚碲氧烷(Polytelluoxane, PTeO)的新型光刻胶,为先进半导体制造中的关键材料提供了新的设计策略。该研究提供了一种融合高吸收元素 Te、主链断裂机制与材料均一性的光刻胶设计路径,有望推动下一代 EUV 光刻材料的发展,助力先进半导体工艺技术革新。(it之家)
2025-07-27
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