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传12月部分中国客户接受三星电子NAND涨价
据报道，先前业内一度传出三星电子准备将12月3D NAND报价调涨10%，相关供应链业内人士透露，三星内部消息称，12月有部分中国客户接受涨价，这证明NAND市场离复苏不远，未来价格能否稳定，仍有待观察。（财联社）
2023-01-09
三星调涨NAND闪存价格，部分产品涨幅高达10%
据报道，业内人士透露，虽然市场需求低迷，但三星12月上半月依旧选择上调NAND闪存价格。其中，3D NAND闪存价格涨幅高达10%。（财联社）
2022-12-20
三星平泽P3工厂NAND Flash产线已正式开始运营
据报道，三星电子7日宣布，位于平泽地区的P3工厂的NAND Flash产线已正式开始运营。未来根据市场需求，计划在平泽3号线扩建和建设基于EUV工艺的DRAM和5纳米以下代工工艺等先进生产设施。此外，三星电子也已开始筹备P4工厂的开工。（财联社）
2022-09-08
产业链消息称美光和西部数据已将NAND闪存价格提升10%
根据产业链的消息，美光和西部数据已将NAND闪存的价格上调10%，可能会影响到现货市场和合约市场NAND闪存的价格。从研究机构此前公布的数据来看，去年一季度和二季度，美光是全球第五大NAND闪存供应商，西部数据则是第三大供应商，三星电子是第一大供应商，市场份额远高于其他厂商，铠侠和SK海力士分别是第二大和第四大供应商。目前，尚不清楚另外3家供应商是否也有调整的计划。（TechWeb）
2022-02-28
SK海力士称收购英特尔NAND闪存业务完成第一阶段70亿美元交易
据报道，SK海力士表示，已完成收购英特尔NAND闪存业务的第一阶段。此前，这笔交易已经获8个国家监管部门的批准。SK海力士此前表示，在第一阶段，该公司将支付交易总价格90亿美元中的70亿美元。（新浪科技）
2021-12-30
集邦咨询：预估2022年第一季NAND Flash价格跌幅约10-15%
36氪获悉，根据TrendForce集邦咨询研究显示，PC OEMs自2021年11月上旬起基于上游半导体物料供给改善而恢复部分client SSD订单，帮助供应商得以将库存维持在较低水位，使得供应商降价求售的压力并不如预期强大。因此，预估明年首季NAND Flash价格将下跌10-15%，且应为全年跌幅最明显的季度。
2021-12-15
SK海力士收购英特尔NAND闪存和SSD业务获欧盟委员会批准
从SK海力士内部获悉，SK海力士收购英特尔NAND闪存和SSD业务获欧盟委员会批准，意味着这项90亿美元的交易距计划的最终交割更近一步，此次交易将有助于SK海力士扩大其全球业务网、强化存储技术。（财联社）
2021-05-22
三星P2工厂已完成NAND Flash设备导入，初始月产能预计2万片
据报道，近日三星已经完成对平泽P2工厂晶圆代工及NAND Flash产线设备的导入。报道称，预计NAND Flash产线将在今年下半年开始批量生产，并极有可能进行第七代V NAND生产。产能方面，生产线的初始产能估计约为每月2万片。（新浪财经）
2021-04-19
集邦咨询：2021年第一季NAND Flash仍供过于求，估季跌幅约10~15%
2021年NAND Flash各类产品总需求位元数包含Client SSD（31%）、Enterprise SSD（20%）、UFS与eMMC（41%）与NAND Wafer（8%），由于供货商数量远高于DRAM，加上供给位元成长的幅度居高不下，预计2021年价格仍将逐季下跌。展望明年第一季，在三星、长江存储（YMTC）、SK海力士与英特尔（Intel）对位元产出皆较为积极的情况下，NAND Flash供过于求态势将更加明显，位元产出的季增幅达6%，预估价格将季跌约10~15%。（集邦咨询）
2020-12-14
三星将在韩增NAND闪存芯片生产线，预计投资超57亿美元
6月1日，三星电子宣布，将扩大其在韩国平泽市NAND闪存芯片生产能力，计划在明年下半年大规模生产该芯片。三星方面表示，该额外容量也将有助于满足对5G智能手机和其他设备的需求。此外，三星还将在中国西安工厂增设第二条生产线，该生产线计划于明年上半年投产。分析师预计，投资范围将在7万亿韩元（约合57亿美元）至8万亿韩元（约合65亿美元）之间。（澎湃）
2020-06-02
三星NAND Flash今年一季度全球市占率下滑2%
36氪获悉，据调研机构“全球半导体观察”25日发布的数据，今年第一季度全球NAND Flash市场销售总额环比增长8.3%，为136亿美元。其中，三星电子位元出货较前季下跌约3%，市场份额下滑2.2%。该机构认为，ODM复工递延是三星出货量有所减少的主因。
2020-05-25
三星DRAM和NAND工厂断电，分析师：有利于清理库存
1月1日，三星电子公司表示，在发生大约一分钟的断电事故后，其华城芯片工厂的部分芯片生产已经暂停。目前正在检查生产线以备重新启动，并评估造成的损失。据韩媒报道，此次三星华城芯片工厂断电是因为区域电力传输电缆出现问题，目前三星部分DRAM和NAND闪存的生产已经暂停，预计需要大约两到三天时间才能全面恢复。瑞穗分析师表态称，这次意外对三星清库存很有利。（TechWeb）
2020-01-02
紫光集团：中国首款64层3D NAND闪存开始量产
紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司，已开始量产基于Xtacking®架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。紫光集团称，这是中国首款64层3D NAND闪存，亦是全球首款基于Xtacking®架构设计并实现量产的闪存产品。（每日经济新闻）
2019-09-02
英特尔回应海力士收购3D NAND业务传闻：将继续保持对内存与存储业务投入
36氪获悉，针对集微网报道称海力士与英特尔谈判、欲收购英特尔大连工厂及3D NAND业务，英特尔方面回应称，“作为正常业务运营的一部分，英特尔定期与其他存储供应商保持沟通。鉴于当前行业态势，出现此类传闻是很自然的，并不令人惊讶。内存与存储依然是我们以数据为中心战略的核心，我们将继续保持对这些业务的投入。”
2019-07-12
集邦咨询：二季度NAND Flash仍供过于求 平均价格跌幅达15-20%
据集邦咨询半导体研究中心最新报告，NAND Flash市场在2018年第一季受传统淡季影响，导致市场转为供过于求。第二季随着智能手机需求复苏、中国智能手机厂商提升高容量产品的备货力道，虽位元出货量获得支撑，但NAND Flash仍是供过于求，第二季平均价格跌幅达15-20%。（财联社）
2018-08-16
长江存储推出全新3D NAND架构，预计2019年产品量产
紫光集团旗下长江存储今日公开发布了全新3D NAND架构XtackingTM。据介绍，该技术将为3D NAND闪存提高I/O高性能、存储密度，缩短产品上市周期。目前长江存储已将该技术应用于到第二代3D NAND产品的开发，预计2019年进入量产阶段。通过与客户、行业合作伙伴和行业标准机构的合作，该技术将应用于智能手机、个人计算、数据中心和企业应用等领域。（腾讯一线）
2018-08-07
三星150亿美元扩大NAND产能：SSD要继续降价
据韩国媒体报道称，三星已经上调了今明两年在NAND生产上的投资，总计高达150亿美元，这主要用于扩大韩国平泽工厂以及中国西安工厂的3D NAND产能。报道中提到，三星如此投资，只是为了提高NAND产量，所以未来SSD的继续降价是基本没悬念的事。（快科技）
2018-07-14
三星NAND闪存工厂发生停电事故 当月晶圆产量减少11%
据台湾媒体报道，三星电子在平泽市的NAND闪存工厂3月9日发生一次短暂停电事故，此次事故中受损的晶圆相当于3月份三星整体NAND闪存产量的11%，或全球NAND闪存供应量的3.5%。据知情人士透露，三星NAND闪存工厂停电了大约半个小时，大约有5万到6万个晶圆被损坏。（腾讯科技）
2018-03-14
三星电子西安NAND闪存产能扩建项目月底动工
据韩联社报道，半导体业界消息称，三星电子西安NAND闪存生产线扩建项目将于本月底正式动工。去年8月三星电子宣布，决定扩建西安NAND闪存生产线。据悉，该公司计划今后3年投资70亿美元用于该生产线的扩建。与此同时，三星电子也在加强对国内设备线的投资。（新浪财经）
2018-03-14
苹果正与长江存储谈判购买其NAND闪存芯片
《日经新闻》报道称，苹果公司正在与看中国的长江存储科技有限责任公司谈判购买其NAND闪存芯片。苹果将在专售中国国内市场的新iphone机型和其它产品中使用这些芯片。
2018-02-15
2017年第三季NAND Flash厂商的营收较第二季大幅增长13%
据cnBeta报道，根据CINNO Research从内存供应链业者的运营状况来分析，受惠于NAND Flash平均销售单价持续上扬和新智能型手机与固态硬盘等需求畅旺的带动下，第三季NAND Flash厂商的营收较第二季大幅成长13%。
从几个主要厂商的面向来看，三星凭借着领先其他业者的3D-NAND Flash进度，除了是中国智能手机品牌最大的NAND Flash供货商外，也是PC-SSD和Enterprise-SSD最主要的市场份额最大者，第三季度不仅位单季出货量较第二季成长15%以上，平均销售单价也季成长接近5%，东芝则是最受惠于苹果拉货的影响，单季营收成长近18%，逐步恢复成长动能，美光与英特尔则是相对受限于缺货的影响，成长动能低于产业平均。
2017-11-14
东芝已与贝恩资产签署收购协议，NAND存储业务正式卖出
据超能网报道，在上周便有消息指出东芝董事会正式同意将其存储业务出售，会在近期公布交易。今天这单历时半年多的收购最终确认，东芝与Bain Capital为首的收购财团正式宣布已签署交易协议，后者以180亿美元收购东芝的NAND存储业务，交易将在明年3月底完成。
2017-09-29
东芝通过硅穿孔技术来提升3D NAND效率
东芝 BiCS 3D TLC NAND 闪存所使用的硅穿孔（TSV）技术，东芝声称可减少存储应用的功耗，同时保障低延时、高吞吐、以及企业级 SSD 的每瓦特高 IOPS 。据外媒所述，这是当前业内首个推向市场的硅穿孔 NAND 闪存产品。该公司称，它已于上月向制造合作伙伴出货基于 TSV 技术的 BiCS 3D TLC 闪存芯片，预计样品可在年底前出货。此外东芝也将于 8 月第二周在圣克拉拉举办的“2017 闪存峰会上”展示相关原型。
2017-07-12
西部数据推出64层3D NAND固态硬盘，99.99美元起
5月30日，台北国际电脑展于今天正式开幕，西部数据（Western Dlital）在展会上宣布推出全球首款以64层3D NAND技术所打造的消费级固态硬盘（SSD）。通过最新的64层3D NAND技术，西部数据提供了在低功耗、高能效、耐久性和容量上都更有提升的新一代固态硬盘(SSD)。
2017-05-31
韩国3D NAND闪存三季度有望占全球一半市场
市场调查机构DRAMeXchange周五发布的调查结果显示，到今年三季度，三星电子、SK海力士等韩企的3D NAND闪存半导体在全球整体NAND闪存市场所占份额有望超过50%。调查机构同时预测，今年一整年NAND供应都会较为紧张。这是因为为准备下半年新品iPhone8的面市，苹果公司正在累积所需零配件，且新一代储存设备SSD相关企业的NAND需求增加。
2017-05-05
数据中心用上3D TLC NAND 英特尔发布两款企业级固态硬盘
今日，英特尔宣布了两款应用于数据中心的固态硬盘：P4500和P4600，这是自推出首款NVMe SSD以来，其企业级PCIe SSD产品阵容最为重要的更新。率先推出的系列将包含容量为1TB、2TB、4TB的半高半长的插卡式及U.2接口2.5寸形态的产品。
2017-05-03
日媒：苹果谷歌亚马逊都在觊觎东芝NAND闪存业务
日本《读卖新闻》周六报道称，苹果、亚马逊和谷歌均参与了东芝NAND闪存部门的竞购。东芝希望募集到至少90亿美元资金，以应对美国核电业务破产可能给集团构成的影响。该公司此前表示，旗下闪存业务的估值在180亿美元左右。消息人士透露，目前约有10家潜在竞购方对东芝闪存业务很感兴趣，其中包括与东芝在日本合资投建芯片工厂的西部数据、美光、SK海力士、以及其它财务投资人。
2017-04-01
台积电为3D NAND闪存，加入争抢东芝芯片业务行列
据来自行业信息源的消息称，苹果供应商台积电正打算通过投资东芝闪存业务进军3D NAND闪存领域。台积电还希望成功劝说东芝在台湾建立3D NAND闪存工厂，为其提供包括降低当地生产成本等支持。信息源已确定台积电是东芝优先选择的几个竞标者之一，因为该半导体企业符合诸多条件，比如并未涉足NAND闪存芯片制造，而且不需要政府基金来进行风险投资。台积电也不可能窃取东芝的专利内存技术和知识产权，或者霸占新公司的所有权和管理权。
2017-03-02
