闪存芯片
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SK海力士开发出238层NND闪存芯片，明年上半年量产
韩国SK海力士（SK Hynix）日前已开发出238层NAND闪存芯片，其可以用于PC存储设备、智能手机和服务器。SK海力士宣称新的238层芯片是最小的NAND闪存芯片，数据传输速度相比上代产品提升50%，读取数据消耗的能量降低21%。SK海力士准备于2023年上半年开始大规模生产新芯片。（新浪科技）
2022-08-03
三星将在韩增NAND闪存芯片生产线，预计投资超57亿美元
6月1日，三星电子宣布，将扩大其在韩国平泽市NAND闪存芯片生产能力，计划在明年下半年大规模生产该芯片。三星方面表示，该额外容量也将有助于满足对5G智能手机和其他设备的需求。此外，三星还将在中国西安工厂增设第二条生产线，该生产线计划于明年上半年投产。分析师预计，投资范围将在7万亿韩元（约合57亿美元）至8万亿韩元（约合65亿美元）之间。（澎湃）
2020-06-02
东芝闪存芯片工厂本月曾短暂停电，导致生产暂停近一周
据外媒报道，东芝存储公司在日本的一座NAND闪存芯片工厂本月曾突发短暂停电，导致生产暂停了近一周。外媒在报道中表示，东芝存储公司是在当地时间上周五对外公布工厂因停电事故停产近一周的消息的，但东芝存储公司的发言人并未透露工厂的生产何时能完全恢复，也未透露生产所受到的影响。（TechWeb）
2019-06-24
英特尔首次对外提供闪存芯片，助力紫光推自有品牌进军存储市场
据日经新闻引述知情人士称，紫光集团将首次进入存储产品市场，使用自身的“UNIC”品牌推出存储卡、固态硬盘等产品。紫光集团相关人士对日经新闻证实了这一消息，这位人士表示英特尔公司将提供作为原材料的闪存芯片。据悉，在此次合作中，英特尔是历史上第一次对外部公司提供闪存芯片。（腾讯科技）
2018-03-02
西部数据联手KKR重新竞购东芝闪存芯片业务
6月27日下午，西部数据宣布，该公司与私募股权投资公司KKR已经重新提交了东芝闪存芯片业务的竞标方案。西部数据在简短声明中表示，作为此次竞标的一部分，该公司将提供债务融资来促成此次交易。西部数据与东芝共同运营后者的主要半导体工厂，但双方在东芝NAND闪存芯片业务的出售问题上存在分歧。西部数据已经向美国法院申请禁令，避免在没有获得其许可的情况下达成任何交易。东芝希望在周三年度股东大会之前与优先竞标者签订最终协议——该竞标者是一个由日本政府领导的财团，其中也包括美国私募股权投资公司贝恩资本。
2017-06-27
富士康可能白忙活，东芝更倾向于将闪存芯片业务卖给美日韩联合体
东芝预计将在月底决定闪存芯片业务的最终买家，而此前出价最高的由富士康和苹果等企业组成的竞购团，有可能在竞购中白忙活一场，因为外媒的消息显示，东芝更倾向于将闪存芯片业务卖给贝恩资本牵头的由美国、日本和韩国企业组成的联合体。
2017-06-20
东芝发布新一代64层BiCS闪存芯片
东芝已经将其3D闪存堆叠到了更高的层次，并携手西部数据（此前收购了东芝合作伙伴SanDisk）宣布了第三代BiCS闪存芯片。新款TLC闪存维持了相同的 256Gb容量，但层数已经从前代的48提高到了64层。在适当的时候，该公司还会推出单颗512Gb（64GB）的芯片。除了预期的密度增加（晶圆容量），高堆叠还有其它益处，比如成本效益。
2016-07-28
