闪存
闪存最新快讯，36氪聚合所有闪存相关的新闻快讯，并为你提供最新的相关资讯。
本次共找到 84 条【
闪存
】相关快讯
CFM闪存市场总经理邰炜：存储行情很可能在三季度迎来新的变化或者增长
36氪获悉，深圳市闪存市场资讯有限公司总经理邰炜在CFMS2023上表示，目前市场价格几乎已经到了很多原厂的成本价，尤其今年一季度解封以后，并没有出现预期的爆发性的经济增长。经过将近一年的行情调整，加上需求逐步的回升、库存压力逐步释放，预计今年二季度可能将是这一轮行情的最低点，存储行情很可能在三季度迎来新的变化或者增长。CFM闪存市场数据显示，2022年全球存储市场规模同比下降15%，达1392亿美元，结束连续两年的增长。
2023-03-27
三星调涨NAND闪存价格，部分产品涨幅高达10%
据报道，业内人士透露，虽然市场需求低迷，但三星12月上半月依旧选择上调NAND闪存价格。其中，3D NAND闪存价格涨幅高达10%。（财联社）
2022-12-20
媒体称长江存储将为iPhone 14供应NAND闪存，已被列为供应商
据报道，专注于3D NAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路厂商，同时也提供完整的存储器解决方案的长江存储科技有限责任公司，已进入苹果供应链，将为iPhone 14供应NAND闪存。苹果目前所需的NAND闪存，是由三星电子、SK海力士和铠侠供应，DRAM则仰仗三星电子和SK海力士，高度依赖韩国存储芯片厂商。（TechWeb）
2022-09-06
TrendForce：NAND闪存晶圆下半年或供大于求，第三季度价格将环比下跌5-10%
据业界12日消息，研究机构集邦咨询（TrendForce）预测，今年第三季度NAND闪存晶圆的价格将较第二季度下跌5-10%。集邦咨询指出，本月NAND闪存晶圆已经开始降价，下半年将供大于求。第三季度client SSD、eMMC、UFS等产品的价格将与第二季持平，上涨预期将落空。（新浪财经）
2022-05-12
SK海力士称收购英特尔NAND闪存业务完成第一阶段70亿美元交易
据报道，SK海力士表示，已完成收购英特尔NAND闪存业务的第一阶段。此前，这笔交易已经获8个国家监管部门的批准。SK海力士此前表示，在第一阶段，该公司将支付交易总价格90亿美元中的70亿美元。（新浪科技）
2021-12-30
英特尔将闪存业务出售给SK海力士在英国获批
道琼斯通讯社报道称，英国竞争和市场管理局周一表示，已批准英特尔公司将其闪存制造业务出售给韩国海力士半导体的交易计划。该反垄断监管机构表示，根据目前掌握的信息，决定不对该交易进行第二阶段深入调查。（界面）
2021-06-28
SK海力士收购英特尔NAND闪存和SSD业务获欧盟委员会批准
从SK海力士内部获悉，SK海力士收购英特尔NAND闪存和SSD业务获欧盟委员会批准，意味着这项90亿美元的交易距计划的最终交割更近一步，此次交易将有助于SK海力士扩大其全球业务网、强化存储技术。（财联社）
2021-05-22
启方半导体基于二代0.13微米嵌入式闪存技术的汽车半导体工艺即将量产
韩国唯一一家纯晶圆代工公司启方半导体今日宣布，该公司已成功开发出面向汽车半导体应用的第二代0.13微米嵌入式闪存工艺，年内就将全面投入量产。（财联社）
2021-04-06
长江存储推出128层QLC闪存，单颗容量达1.33Tb
36氪获悉，今天，长江存储科技有限责任公司宣布其128层QLC 3D NAND闪存（型号：X2-6070）研发成功，并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。据长江存储方面介绍，每颗X2-6070 QLC闪存芯片拥有128层三维堆栈，共有超过3665亿个有效的电荷俘获型存储单元 ，每个存储单元可存储4字位（bit）的数据，共提供1.33Tb的存储容量。
2020-04-13
三星全球首发量产512GB eUFS3.0闪存芯片
三星电子今天在官网宣布，全球首发量产512GB eUFS3.0闪存芯片，此芯片同时也正是此前发布的三星折叠屏手机Galaxy Fold所用的存储芯片。这也使三星成为了全球唯一一家可以量产512GB eUFS3.0闪存芯片的公司。数据显示，可此芯片的读写性能中读取速度为2100MB/s，是普通SD卡速度的20多倍。（TechWeb）
2019-02-27
传贝恩资本准备让东芝存储上市，IPO最早或于9月进行
路透社援引知情人士消息称，贝恩资本已选中野村和三菱日联摩根士丹利证券经办东芝存储的首次公开发行。IPO最早可能在9月进行。贝恩资本牵头的财团去年以180亿美元收购了全球第二大NAND闪存生产商东芝存储。如果东芝存储上市，可能会成为今年日本最大规模IPO。这也标志着贝恩资本的迅速退出。（新浪科技）
2019-02-21
三星宣布量产1TB eUFS闪存
三星今日宣布了业界首款容量高达1TB的“嵌入式通用闪存存储器”（eUFS）。其基于第五代V-NAND技术打造，容量是64GB版本的20倍，速度是典型microSD存储卡的10倍，特别适合数据密集型应用。（品玩）
2019-01-30
UFS 3.0闪存明年将开始商用，三星S10或将首发
在香港举办的高通4G/5G峰会上，三星透露，消费者将在2019年上半年见到UFS 3.0存储产品商用，2020年将商用LPDDR5内存。在展示环节，三星公布的UFS 3.0解决方案可以提供128GB、256GB和512GB三种容量，最大数据传输速率为2000MB/s，到2021年会出货1TB芯片。（太平洋电脑网）
2018-10-26
2018年闪存存储器市场规模将超过570亿美元
在近日举行的中国闪存市场峰会上，中国闪存市场总经理邰炜表示，2018年全球半导体市场规模将达1500亿美元，其中闪存存储器将超过570亿美元，而中国消耗了全球产能的32%，意味着中国已是全球存储产业中最为重要的市场。集邦咨询半导体研究中心陈玠玮表示，闪存市场自2018年起，已走向供应过剩局面，直到5G时代的到来将会有所改善。（21世纪经济报道）
2018-09-28
中国内存闪存明年实现国产，三家芯片厂将量产
据中国台湾电子时报网站引述业内人士称，2019年，中国大陆地区将有三家存储芯片厂竣工并投入量产，它们分别是长江存储、福建晋华集成电路公司，以及安徽合肥Innotro存储公司。这也意味着中国大陆的存储芯片空白正式被填补。（腾讯）
2018-07-20
三星宣布大规模生产第五代V-NAND闪存芯片
据外媒报道，三星宣布已开始大规模生产其第五代V-NAND闪存芯片。三星第五代V-NAND内存芯片是业内第一个利用Toggle DDR 4.0接口的产品，该接口被称为数据传输的高速公路，在存储之间的传输速度可达1.4 Gbps。与前一代产品相比，后者使存储的传输速度提高了40%。（环球网）
2018-07-11
东芝闪存业务出售获批 计划下周完成交易
尽管中国推迟东芝出售存储业务的审批截止日期，但中国政府上周还是批准了贝恩领导的这笔收购。这笔交易价值180亿美元，而贝恩领导的财团中包含几家希望获得东芝闪存芯片供应的公司，包括苹果、戴尔、金士顿、希捷、SK海力士和西部数据。（界面）
2018-05-21
东芝公司本财年利润大涨33%，闪存出售业务仍待中国批准
闪存持续两年的涨价让三星、东芝、美光等公司大赚，但受累于两年前核电业务的巨额亏损，东芝集团不得不选择出售旗下的闪存部门，并卖出了180亿美元的高价。受此影响，东芝本财年的利润将大涨33%，不过这笔交易仍在等待中国监管部门的批准，知情人士称审批完成的截止日期是5月28日。（路透）
2018-05-15
东芝股东要求取消变卖闪存业务：实际价值360亿美元
日本东芝公司以180亿美元转让闪存芯片业务的交易，至今仍未完成，预计五月底中国政府将给出反垄断审核批复。据外媒最新消息，东芝的活跃股东日前表示，闪存业务的实际价值是转让价格的两倍，东芝应该取消转让交易。（腾讯）
2018-04-24
中国或五月底批复，东芝做好闪存交易“两种准备”
据日经新闻报道，中国政府反垄断部门从去年底开始对美国贝恩资本等企业斥资180亿美元收购东芝闪存业务的交易进行反垄断审核，目前并未完成，预计反垄断部门有望在5月28日给出审核意见，到底是否决还是通过，目前无法预测。（腾讯科技）
2018-04-23
闪存技术有望带来太赫兹量级光子芯片 计算机速度提百倍
以色列科学家提出了一种新型集成光子回路制备技术——在微芯片上使用闪存技术，有望使体型更小、运行速度更快的光子芯片成为现实，运算频率达太赫兹量级，从而将计算机和相关通信设备的运行速度提高100倍。（澎湃）
2018-03-27
东芝称180亿美元闪存交易未能完成审核 变卖计划不变
据路透，东芝公司官方今日表示，180亿美元转让闪存芯片业务未能在截止日期之前完成全部审核，但是东芝仍将继续转让交易。目前还不清楚资产转让交易何时可以完成，但是东芝的目标仍然是尽快转让业务。
2018-03-26
华为神秘手机配512GB存储，或为Mate X
前市场上手机的存储空间最大是256GB，华为这部手机很可能会拿下存储空间最大手机的称号。
去年12月份，三星官方正式宣布即将开始量产512GB的eUFS闪存芯片，遗憾的是三星S9并没有搭载这块闪存芯片。（IT之家）
2018-03-21
三星NAND闪存工厂发生停电事故 当月晶圆产量减少11%
据台湾媒体报道，三星电子在平泽市的NAND闪存工厂3月9日发生一次短暂停电事故，此次事故中受损的晶圆相当于3月份三星整体NAND闪存产量的11%，或全球NAND闪存供应量的3.5%。据知情人士透露，三星NAND闪存工厂停电了大约半个小时，大约有5万到6万个晶圆被损坏。（腾讯科技）
2018-03-14
三星电子西安NAND闪存产能扩建项目月底动工
据韩联社报道，半导体业界消息称，三星电子西安NAND闪存生产线扩建项目将于本月底正式动工。去年8月三星电子宣布，决定扩建西安NAND闪存生产线。据悉，该公司计划今后3年投资70亿美元用于该生产线的扩建。与此同时，三星电子也在加强对国内设备线的投资。（新浪财经）
2018-03-14
Intel看上紫光：授权最先进3D闪存技术
据韩国媒体报道，为了满足PC、智能手机市场对NAND闪存的持续高需求，Intel正在与中国紫光集团谈判，授权其生产64层3D NAND闪存。（快科技）
2018-03-09
成立半年，紫光存储推出全系列闪存产品挑战国外巨头
今日紫光存储推出覆盖了从移动终端存储、PC笔记本电脑消费级存储，到数据中心云平台企业级存储的全系列闪存产品。新产品采用有eMMC、UFS、SATA、PCIe等各种接口协议和BGA、M.2、U.2等各类封装形式。其中集成3D NAND TLC的移动终端存储UFS2.1产品属中国国内企业首次推出。（腾讯科技）
2018-03-01
美光发布UFS 2.1手机闪存，基于人工智能技术优化
2月26日，美光发布专为安卓旗舰机打造的UFS 2.1标准闪存，容量设计为64GB、128GB和256GB。颗粒选用TLC，3D 64层堆叠，美光强调基于人工智能技术进行了APP打开、运行有关的性能优化。新闪存将于今春发货，2018年下半年开始出现在智能机中。此前只有三星和东芝能实现UFS2.1稳定供货。（快科技）
2018-02-26
苹果正与长江存储谈判购买其NAND闪存芯片
《日经新闻》报道称，苹果公司正在与看中国的长江存储科技有限责任公司谈判购买其NAND闪存芯片。苹果将在专售中国国内市场的新iphone机型和其它产品中使用这些芯片。
2018-02-15
东芝闪存业务无法在三月底卖出 或涨价或上市
去年，日本东芝公司和美国贝恩资本领军的财团达成协议，以180亿美元变卖宝贵的闪存芯片业务。据外媒最新消息，这一交易无法在预期的三月底（本财年结束）获得通过，但这将是东芝的一个好消息，东芝有望获得更高的卖价，或选择上市。（腾讯科技）
2018-02-14
三星宣布量产256GB闪存，瞄准汽车市场
2018年2月8日，三星电子宣布开始批量生产256GB嵌入式通用闪存（eUFS），该闪存是首次基于JEDEC汽车规格的UFS 3.0标准制造。早在2017年9月，三星就针对汽车市场推出了128GB的eUFS闪存。（快科技）
2018-02-09
Intel/美光闪存合作宣布调整：2019年后“分手”
据快科技报道，Intel宣布，和美光的闪存合作即将发生关键性变化。具体来说，双方会在2018年继续第三代3D NAND（预计是96层）的研发、生产合作，一直持续到2019年初。在此之后，则分道扬镳。目前，两者正就第二代64层3D 闪存进行增产工作。
2018-01-09
华为全闪存存储收入增速全球第一
第三方权威咨询报告显示，华为全闪存存储市场收入增速位列全球第一。自全闪存存储阵列OceanStor Dorado V3上市交付以来，华为全闪存存储产品迎来迅猛增长。华为还计划于2018年上半年正式发布新一代全闪存存储OceanStor F V5系列以及混合闪存OceanStor V5系列，其全面的闪存设计特性将进一步扩充华为闪存存储产品布局，满足客户的多样化需求和应用。
2018-01-08
韩国继续统治全球DRAM和NAND芯片市场 中国竞争极为有限
据外电报道，市场调研公司IHS Markit周四发布报告称，韩国芯片巨头今年第三季度在DRAM和NAND闪存市场继续保持着统治优势。整体而言，第三季度全球DRAM内存芯片市场的规模达到197亿美元，较前一季度增长大约35%，再创历史新高。报告显示，按照营收计算，三星电子第三季度占据了全球DRAM内存芯片市场44.5%的份额；另一家韩国厂商SK海力士紧随其后，市场份额达到27.9%。就闪存芯片市场而言，三星电子第三季度占据该市场39%的份额；东芝紧随其后，份额为16.8%；西部数据排名第三，市场份额为15.1%。美光科技和SK海力士的份额分别为11.3%和10.5%，排在第四和第五位。（腾讯科技）
2017-12-07
贝恩资本拟向收购到手的“东芝存储”输血90亿美元
据外媒最新报道，美国私募股权投资公司贝恩资本近日披露，收购联合体成员后续将会向东芝存储公司新增加90亿美元投资，以促进业务增长。之前，贝恩资本领衔的联合体，宣布斥资180亿美元，从日本东芝收购闪存制造业务“东芝存储公司”，这一交易引发了全球舆论的关注。（腾讯科技）
2017-10-16
三星推出车用eUFS闪存 速度远超eMMC
据外媒9月26日报道，三星电子公司将生产嵌入式通用闪存存储，用于下一代汽车。三星表示，这款eUFS闪存专为先进的驾驶辅助系统、仪表板系统和信息娱乐系统而设计，提供64GB和128GB两个版本。eUFS闪存将提供更强的数据传输速度，其读取速度高达每秒850兆字节，随机读取速度为每秒45,000输入或输出操作。eUFS闪存符合JEDEC UFS 2.1标准，以及即将推出的JEDEC UFS 3.0标准，并具有必要的数据刷新和温度通知功能。三星表示，温度通知功能通过控制器起作用，对触摸式汽车环境非常重要。（环球网）
2017-09-27
西部数据将采取法律行动，阻止东芝投资闪存芯片业务
西部数据周三宣布，由于芯片业务合作伙伴东芝决定在没有该公司合作的情况下，投资新的闪存生产线，因此对东芝发起法律行动。西部数据向国际仲裁法庭提交了新的仲裁申请。该法庭负责监督两家公司之间的协议。西部数据希望阻止东芝投资位于日本四日市的Fab 6工厂，除非西部数据的子公司Sandisk也被允许参与投资。（新浪科技）
2017-09-21
东芝周三开董事会 或宣布闪存业务卖给贝恩资本及苹果
据彭博社引述消息人士称，周三（9月20日），东芝将举行董事会会议，若无意外将批准闪存业务转让给美国贝恩资本领军的竞购联合体。不过消息人士称，转让给贝恩资本的交易未来仍然有可能遭到东芝合资伙伴西部数据公司的反对，因为收购联合体中包括了多家西部数据的竞争对手，比如硬盘制造商希捷、金士顿、韩国SK海力士等。如果周三的董事会无法达成交易协议，则将会在下周继续进行讨论。（腾讯科技）
2017-09-19
SSD主控大厂群联声明：只用原厂闪存颗粒
近日有媒体曝出所谓猛料，称不少SSD都搭配了非原厂的劣质闪存，引发不少用户担忧。对此，群联电子今天发表官方声明称，该公司出货的SSD所采用闪存颗粒，均为东芝存储公司(TMC)以及各大闪存厂商供应的原装正品，品质和性能均符合产品规格要求对于近期市场上的各种不实言论，群联电子表示将保留法律诉讼权利，捍卫公司名誉。
群联虽然主要提供各种闪存设备主控方案，其实也有不少自己的SSD产品，而且品类齐全，涵盖2.5/1.8寸SATA、mSATA、M.2、uSSD等等。
2017-09-01
西部数据收购闪存公司Tegile Systems
在宣布收购云存储服务提供商 Upthere 之后，西部数据（WD）紧接着在本周二宣布了又一个收购目标 —— 闪存公司 Tegile Systems —— 不过西数并未透露这笔交易的金额。成立于 2010 年的 Tegile，主要为企业提供数据中心应用的闪存和持久性内存存储解决方案。
2017-08-30
三星将在中国投资70亿生产闪存产品
三星电子公司将在中国半导体工厂投资70亿美元，以满对智能手机和其他设备中NAND闪存产品日益增长的需求。这笔投资将在三年内进行，公司将重点投资西安工厂。（彭博社消息）
2017-08-28
东芝全球首发64层3D闪存企业级SSD
东芝把64层堆叠设计的3D TLC闪存带到了企业级领域，这在全球也是第一次。新硬盘有两个系列，均为2.5寸规格，其中“PM5”最大容量达惊人的30.72TB(最小400GB)，采用SAS 12Gbps接口，并业界首创MultiLink SAS架构，性能异常彪悍：持续读写可以高达3350MB/s、2720MB/s，随机读取也能达到400000 IOPS，丝毫不逊色于PCI-E SSD。此外它还支持多流写入技术，可以根据数据类型智能管理、分组，尽可能降低写入放大和垃圾回收，从而降低延迟、延长寿命、提升性能和QoS，支持每天10次全盘写入。
2017-08-08
东芝发布BG3系列第三代单芯片SSD：64层堆叠
东芝发布了第三款基于新闪存的SSD，也是第三代BGA单芯片封装SSD，命名为“BG3”系列。东芝BG系列BGA SSD诞生于2015年初，单芯片整合主控和闪存，非常迷你，新的BG3芯片封装就只有16×20毫米。
它采用M.2接口(为方便使用还有M.2 2230扩展卡)，PCI-E 3.0 x2通道，支持NVMe，容量和上代一样128GB、256GB、512GB，似乎并未发挥多层堆叠的优势，不过芯片厚度缩小了0.1-0.15毫米，128/256GB的只有1.3毫米，512GB的也只有1.5毫米。性能方面，持续读写最高1520MB/s、840MB/s，功耗最大3.2W、典型2.7W。
2017-08-04
西数推出64层3D QLC闪存，存储密度为768Gb
西部数据今天宣布成功开发了四比特单元的闪存颗粒（Four-Bits-Per-Cell，BiCS3 X4），也就是所谓的QLC，用于旗下的64层3D闪存产品。此前，X4已经用于2D闪存的产品，在SSD小型化的当下，通过3D也就是向上发展，可以在有限的空间内集成更大的存储量。由此，单晶片的存储密度为768Gb(96GB)，此前64层TLC是512Gb。
2017-07-25
东芝3D闪存技术突破：容量轻松TB级、价格/功耗降低
东芝今天宣布全球首发了基于TSV（硅通孔）技术的3D闪存，依然基于自家BiCS架构的TLC。TSV是一种3D闪存“立体搭建”方案，这种通讯方式减少了漏电、更节省体积，相较传统的Wire Bond（金线键合）在单芯片封装后的功耗上极具优势。得益于TSV，东芝宣称可以做到最高48层堆叠，单芯片容量最高1TB（16die），接口速度1Gbps。东芝表示，原型产品已经在6月出货，成品将在下半年上市。
2017-07-11
东芝利用闪存业务股份获得银行60亿美元贷款
《日本经济新闻》周五报道称，东芝利用已剥离的闪存芯片业务的股份，获得了主要银行的6800亿日元（约合60亿美元）信贷额度。报道称，贷款行向东芝提供了一种信贷方式。东芝只需将股票证书提供给银行，即可借入资金，而不需要将实际股票作为抵押。
2017-07-07
iPhone 8闪存供货量不足，苹果被迫求助三星
苹果新一代智能手机手机iPhone 7s、iPhone 7s Plus和iPhone 8正遭遇NAND闪存芯片供应不足的问题。来自台湾地区的行业消息称，苹果的3D NAND闪存供应商SK Hynix和东芝的成品率均较低，导致产量较之前的预期低30%。为了解决该问题，苹果不得不将三星纳入到闪存供应商之列。与SK Hynix和东芝相比，三星的3D NAND闪存成品率比较稳定，因此产量有保证。
2017-07-06
