09月
23
SK keyfoundry推出新型多层厚金属间电介质工艺
9月23日，韩国8英寸纯晶圆代工厂SK keyfoundry宣布推出具备高击穿电压特性的多层厚金属间电介质（Thick IMD）电容工艺。新型多层厚金属间电介质工艺支持堆叠最多三层IMD，每层最大厚度达6微米。该工艺预计将用于制造数字隔离用电容器，以及电子电路中抑制电容耦合的电容器。（界面）原文链接
9月23日，韩国8英寸纯晶圆代工厂SK keyfoundry宣布推出具备高击穿电压特性的多层厚金属间电介质（Thick IMD）电容工艺。新型多层厚金属间电介质工艺支持堆叠最多三层IMD，每层最大厚度达6微米。该工艺预计将用于制造数字隔离用电容器，以及电子电路中抑制电容耦合的电容器。（界面）原文链接
